NVMeフラッシュベースソリューションへの需要の高まりに適合した、T5EN PCIeフラッシュベースメモリソリューション
台北、2021年6月16日 — SMART Global Holdings社 (Nasdaq: SGH）傘下で、メモリソリューション、ソリッドステートドライブ、ハイブリッドストレージ製品のグローバルリーダーであるSMART Modular Technologies社（以下SMART社）は本日、耐久性、堅牢性、安全性に優れたメモリストレージを必要とする航空宇宙、防衛、産業用アプリケーション向けに、新しいT5EN PCIe/NVMe M.2 2280およびU.2フラッシュドライブを発表しました。
T5ENはSMART社のSSD製品T5Eシリーズを拡張したもので、最大8TB（M.2は最大4TB）の容量と、pSLCをサポートした3D TLCフラッシュによりGen3x4を備えています。
SMART社のフラッシュ製品RUGGEDラインのシニアディレクターであるMike Guzzo氏は、次のように述べています。「組み込みシステムにおけるNVMeへの移行が進む中、T5ENの開発は自然な流れであり、当社の既存製品ラインを補完するものでした。基本的にT5ENは大容量、過酷な環境下での優れた信頼性、軍事用消去アルゴリズムのサポート、256ビットの暗号化など、T5Eの既存の利点をすべて備えています。これらの利点は、ミッションクリティカルなデータをより高いレベルで保護し、高性能なNVMeアーキテクチャーをサポートするデータストレージデバイスの全体的な信頼性を高めることにつながります。」
M.2モジュール、U.2ドライブともに、3Dトリプルレベルセル（TLC）NANDとスード（疑似）シングルレベルセル（pSLC）を採用しています。両バージョンともにAES-XTS 256ビット暗号化機能を搭載し、ドライブに書き込まれたデータを自動的に保護します。また、いずれもOPAL 2.0に準拠しており、SSD上のデータが権限のない者によってアクセスされないように自己暗号化されています。
耐久性のある堅牢なSSDの製造は、設計から始まります。SMART社ではすべてのコンポーネントを厳選して調達し、エンジニアリング開発段階でテストを行うことで、高い信頼性と性能を確保しています。また、信号配線のマージンを増やしたり、プリント基板を厚くしたり、筐体の耐久性を向上させるなど、設計プロセスにも工夫を凝らしています。
T5Eの製品仕様と詳細情報については、ウェブサイトにてSMART Modular社の耐久ソリューションをご覧いただくか、SMART Modular社の営業チームまたはinfo@smartm.comにお問い合わせください。
*The stylized “S” and “SMART” as well as “SMART Modular Technologies” are trademarks of SMART Modular Technologies, Inc. All other trademarks and registered trademarks are the properties of their respective owners.
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SMART社について
SMART社は、メモリとストレージソリューションを専門分野とする世界的なリーディングカンパニーとして30年以上前に米国カリフォルニア州に設立されました（NASDAQ：SGH）。ハイエンドの産業用、及びエンタープライズクラスの組込みメモリ／ストレージ製品の開発に注力しています。製品及びサー ビスとして、メモリモジュール、SSD、フラッシュ製品、ハイブリッドソリューションなどがあり、標準規格品と堅牢型製品のほか、さまざまな用途にあわせたカスタマイズサービスを提供しています。パソコン、ネットワーク、通信、メモリ／ストレージ記憶装置、モバイル装置、軍事・防衛、航空宇宙及び産業アプリケーションなど、分野は多岐にわたります。SMART社は高度なカスタマイズ製品設計能力を備え、厳格で高信頼性のテストサービス、リアルタイムでの技術支援も行っています。また、世界をリードする大手OEMと緊密に連携し、製品の設計からマーケットリリースまで全過程において、高生産性、高信頼性のソ リューションを提供しており、各種産業用制御システムのニーズに適う製品及びサービスを幅広く供給しています。詳しい情報については www.smartm.com/jpをご覧ください。
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