SMART Modular世邁科技industrial DDR5工業用記憶體模組可滿足各產業應用追求更高運算效能與日俱增的需求，提供更高記憶體頻寬與性能，尤其針對雲端運算與資料庫處理等應用。DDR5藉由將原本DDR4的突發長度加倍至BL16，並把記憶體庫數量從16增加至32以提升性能，且為了增加效率及可靠性，DDR5在同一模組上具備兩個完全獨立的40位元子通道，大大提升了資料傳輸的速度，降低延遲並提升效率。
相較於DDR4的突發長度為8，DDR5的突發長度擴展到16以增加突發負載量。突發長度16 (BL16)允許單個突發存取64 Bytes的數據，等同於CPU cache中的最小快取單位cache line size，可大幅改善並發性 (concurrency)，且透過兩個通道更可提升記憶體效率。此外，DDR5支援on-die ECC等功能。
DDR5最主要的變動就是電源架構，電源管理從主機板轉移到DIMM本身。DDR5 DIMM具有12V整合式電壓調整器，調整器可分配1.1 V VDD電源電壓，以提供更好的信號完整性以及減少干擾，同時降低能耗。
DDR5的另一個重大變動就是新的通道架構。DDR4 DIMM匯流排為72位元，由64個資料位元和8個ECC位元組成。而DDR5每個DIMM具備兩個通道，每個通道均為40位元寬，包括32個資料位元以及8個ECC位元。雖然資料位元寬與上一代相同 (總數都是64位元)，但DDR5擁有兩個較小的獨立通道可有效提升記憶體存取效率。在DDR5 DIMM架構中，DIMM模組左右兩側各有一個獨立的40位元寬通道，兩個通道共用暫存時脈驅動器 (registering clock driver，RCD)。每個單面半通道模組對應一個獨立時脈，能夠最佳化訊號完整性，且有助於降低抗干擾餘裕。
下方表格說明從DDR4轉換到DDR5 DIMM中最重要的六項規格優勢。
● 指令/位址與控制匯流排為雙倍資料傳輸率
● 在讀取資料框架內產生CRC循環冗餘校驗
● 預設突發長度BL16，允許單個突發存取64 Bytes的數據
● 整合溫度感測器 (MR4)
● DDR5 DRAM包含256模式暫存器 (Mode Register)
